【2025年3月27日,德國慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的600 V CoolMOS™ 8高壓超結（SJ）MOSFET產品系列，簡化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統的MOSFET內阻（RDS(on)），進而減少了導通損耗，提高了整體設備效率和電流密度，而且還節省了與MOSFET相關的成本。

采用TOLL封裝的CoolMOS™ 8

英飛凌科技高級副總裁兼總經理Richard Kuncic表示：“我們很高興與Enphase合作，支持他們致力于完成提供創新太陽能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET專為以極低成本提供卓越的效率和可靠性而設計，這與Enphase和英飛凌通過提高可再生能源技術的性能和經濟性的承諾相吻合，從而進一步推動低碳化。”

EnphaseEnergy高級副總裁兼系統業務部總經理Aaron Gordon表示：“通過與英飛凌合作，Enphase利用CoolMOS™8 SJ MOSFET技術提高了自身微型逆變器系統的性能和經濟性。該合作展現了我們在太陽能行業追求創新與卓越的決心。我們很高興能以極低的成本為客戶大幅提升電流功率密度。”

英飛凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 MOFET在全球高壓超結MOSFET技術領域處于領先地位，為全球樹立了技術和性價比的標準。該技術提高了充電器和適配器、太陽能和儲能系統、電動汽車充電和不間斷電源（UPS）等應用的整體系統性能，進一步推動了低碳化。

CoolMOS™8 SJ MOSFET的柵極電荷較CFD7降低了18%，較P7系列降低了33%。柵極電荷的降低減少了MOSFET的柵極從關斷狀態（非導通）切換到導通狀態（導通）所需的電荷，使系統更加節能。此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET擁有更快的關斷時間，其熱性能較上一代產品提高了14%至42%。該產品集成快速體二極管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封裝，適用于各種消費和工業應用。

供貨情況

600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET和650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET產品組合擴展樣品將從四月初開始供應。更多信息，敬請訪問www.infineon.com/coolmos8。

了解英飛凌600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET的更多優勢，請參考白皮書：“英飛凌CoolMOSTM8證明高壓硅基技術在功率電子產品中仍發揮著重要作用”。